穿越五零国家送我去留学

第367章 制作二极管(3/3)

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首发:~第367章 制作二极管

时珈一的眼睛微微一亮。

锗。单晶锗。

想要研发单晶硅,就要从锗先下手。

费多罗夫在黑板前站定,细细的讲了不少知识,直到下课铃响。

他转身看着学生们:“今天的课讲完了。下面布置实践课作业。”

“设计并制作一部简易雷达接收机的高频前端模块。要求是采用晶体混频器结构,将三千兆赫的雷达回波信号降频至三十兆赫的中频信号。作业交付物包含,电路设计图、元件参数表、制作完成的功能模块,以及测试报告。”

他又补了一句:“当然,混频器用的晶体二极管,你们需要自己申请或者自己制作。系里的实验室可以提供高纯度的锗单晶和基础加工设备。”

大家都没有异议。能申请成品二极管,为什么还要自己制作?

时珈一却听得眼睛亮了,她完全可以申请自己制作,这说明她可以用上无线电系的实验室了,甚至可以申请单晶锗材料!

搓搓小手,心里默念。

理查德,快来信儿吧,现在急需要你的单晶硅提纯方法~~

珈一想要,珈一得到!

她转身就去找了达里娅教授。

这种申请实验室的活儿,当然是麻烦自己的老师最好了!给他们找点事做!

达里娅一开门,言笑晏晏的接待了她。然后面无表情地将人赶了出去。

想申请自己制作二极管?多麻烦她知道吗?

高纯度的锗单晶、切割和研磨设备、掺杂用的扩散炉、以及封装用的金属外壳和引线。

工艺上还需要经过晶片切割、表面研磨、掺杂扩散、欧姆接触制备和封装测试几个步骤!

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