第110章 布局功率半导体，数值与机制并存的(8/9)

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“有了这笔资金支持，我们也可以着手扩充SiCMOSFET的研发设计，预计在20个月内可以完成SiCMOSFET的流片。

不过。

目前就算仅仅采用我们自研的SiCSchottky，预计快充模块的成本，也可以降低10%。

也就是单台快充模块总成本一万三，能达到1300元的成本降幅。

如果等SiCMOSFET的研发流片完成，总成本降幅预计可达到25%。”

…

讲完主要技术参数。

陈默连忙又补充起了他们的“核心价值”。

高压快充模块有接近40%的成本，都来源于功率半导体。

而进口的sic价格又十分昂贵。

一旦实现自研替代进口，这部分的成本降低40%都不是问题。

许易听完，不禁露出满意的表情。

新能源车要走量，以及全国超充桩要铺开，这部分的成本是必须要打下来的。

按照现在的发展来看，基本符合前世的sic自研降本技术路线。

如果再将sic晶圆替换为国产，那么等到一年半载后，产线彻底形成规模，总计达到35%的成本降幅也不是不可能。

届时一台高压快充模块的成本，就能从一万多降低至八千元。

稳辣！！

…

“晶圆供货的情况怎么样？”

许易问。

这话一出，王垒和其他几人的神色难免有些不正常，叹了口气道：“Cree最近产能紧张，成本偏高，而且偶尔有延期。

如果有大批量需求，经常需要提前下单，上次由于晶圆交付周期从8周延长到12周，我们就损失了一笔订单。”

很难绷。

但没办法。

这个阶段CREE在碳化硅衬底领域，几乎是垄断地位，就算是延期，也不会有任何补偿。