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首发：~第376章 提前开香槟，海外的狂欢【求订阅】
「这确实是个问题。」潘湛明点头附和道：「传统铝基结采用双角度蒸发工艺，自然氧化形成氧化铝绝缘层，但SC—57无法用简单氧化形成高质量势垒。」
「可以尝试下原子沉积技术，选择在薄膜上逐层生长一层，厚度精确到原子层的钛酸锶作为势垒。」
徐铭几乎没有任何迟疑，便主动讲出了自己的解决办法。
当话语悉数传进潘湛明的耳中，后者沉声重复低喃两句后，突然像是想通了什么关键之处。
脸上表情顷刻被巨大欣喜占据。
「对啊！」
「没错————是这样。」
「用这种方法，应该就能解决问题，我们居然没有想到。」
然徐铭的声音却并未停下，稍微让身体换了个更舒服的姿势，下秒又开口继续往下讲。
「还有————」
「关于量子比特的测控线路，SC—57有著高临界电流密度特点，不需要像传统设计那样，选择将控制线和晶片分开。」
「可以允许把部分线路，直接集成在晶片上。」
「量子比特阵列放在中间层，上下两层分别为微波控制线布线，和读出谐振腔与通孔互联。」
「光刻精度为五纳米。」
和以前情况不同，国产曙光极紫外光刻机，如今光刻精度早已突破5纳米。
在全球半导体行业内，处于领先地位。
各项保障全部到位下，只要确定了可行性的晶片设计方案，那么用不了多久，这枚将集成上万个物理量子比特的晶片，就可以从研发进入到流片阶段。
基本讲完方案中的问题，徐铭总算停了下来，留给研讨室内其他人消化内容的时间。
而此刻大家神情认真，思考上述方案，脸上除了震撼还是震撼。
万万没有想到，徐铭解决纳米薄膜的同时，竟还顺手连带上了晶片设计方案。
紧接著。
院长潘湛明率先举起手，拍板表态。
「我同意徐院的理论。」
有著院长带头，研讨室内的其他团队成员，自然也没有什么可犹豫的。
纷纷认可徐铭的修改意见，选择相信徐铭。
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