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首发：~第1203章 金乌计划？鈢323！材料学教父的含金量！
东京大学的半导体研究团队则从材料学角度提出了质疑。
「软X射线的穿透力太强，会对矽晶圆造成辐射损伤，影响器件的可靠性。」
「就算勉强制造出晶片，良品率也将低到令人发指的程度！」
就连国内，也有不少专家持怀疑态度。
质疑声在网络上越演越烈。
一篇名为《为什么软X射线光刻机是伪命题》的技术分析文章，在逼乎和Reddit上同时登上了热榜前三。
文章作者是一个在湾积电工作了十五年的资深工程师，他在文中详细阐述了软X射线光刻面临的三大技术障碍。
第一，光源问题。
软X射线通常由同步辐射或雷射等离子体产生，但无论哪种方式，功率都远远不够。
就拿EUV光刻机来说，使用的是13.5纳米的极紫外光，光源功率高达数十千瓦。
而软X射线波长更短、光子能量更高，想要实现生产所需的曝光效率，除了更亮、更稳定的光源，还得解决能量转换效率、散热和连续运行等一系列工程难题。
第二，光学系统问题。
软X射线会被材料吸收，折射透镜没法运作。
唯一可行的方案是多层膜反射镜，但世界最先进的钼矽多层膜，在软X射线波段的反射率也仅有70%。
而一台光刻机里有几十面反射镜，每次反射损失30%的光强，就会造成到达晶圆的光强连初始值的1%都不到。
第三，掩模版问题。
软X射线无法穿透实体掩模版，最佳方案是使用反射式掩模。
但反射式掩模的制造难度太高了，任何微小的缺陷都会在晶圆上被放大，而且掩模版本身也会吸收大量光能，导致热变形。
不怪他们怀疑！
在既有认知和技术体系下，软X射线确实很难被认为能够成为商用光刻机的光源。
这就像一个人宣称自己骑著自行车横渡太平洋，在没有亲眼见证之前，谁会相信？
因为打破了他们对现实的固有认知！
而人，只会相信自己相信的！
除此之外，100皮米级的晶片代表著高能耗和高密度的电晶体，注定会产生可怕的热能。
到时候，拿来做移动处理器，再配上一个金属后壳，用户一边打游戏，一边煎鸡蛋，大概率是没问题的。
除非！
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